9月11日，科創(chuàng)板上市企業(yè)希荻微電子集團股份有限公司迎來重要里程碑——其總部基地“希荻大廈”正式封頂。
據(jù)介紹，希荻微電子總部大廈的設(shè)計靈感源于希荻微電子Logo中的“HL”元素。項目總建筑面積達4.9萬平方米，既預(yù)留了高端實驗室集群，又規(guī)劃了研發(fā)中心、量產(chǎn)測試線及國際人才中心。開放式空間設(shè)計強化部門協(xié)作效率，可容納近數(shù)百名高端研發(fā)人員，為芯片設(shè)計、測試到產(chǎn)業(yè)化提供全鏈條支持。
該大廈將被打造為集技術(shù)研發(fā)和儲備、量產(chǎn)測試、運營管理、集成電路科創(chuàng)中心與國際人才中心于一體的創(chuàng)新總部基地，為南海桂城打造“總部經(jīng)濟樣板”注入強勁動力。
作為國內(nèi)電源管理與信號鏈芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，希荻微電子的核心產(chǎn)品DC/DC芯片、超級快充等產(chǎn)品獲得高通、聯(lián)發(fā)科等平臺認證，產(chǎn)品打入三星、小米等供應(yīng)鏈，還成為中國率先進入美國高通全球參考設(shè)計的芯片企業(yè)，技術(shù)實力與國際龍頭企業(yè)同臺競爭。
回溯希荻微的成長軌跡，每一步都與南海的產(chǎn)業(yè)土壤深度綁定。2012年9月，希荻微以南海區(qū)“藍海人才計劃”A類團隊身份在佛山桂城落戶。
十余年間，團隊從研發(fā)手機快充芯片切入賽道，逐步攻克 DC/DC 芯片、超級快充芯片等核心技術(shù)難題，不斷拓寬業(yè)務(wù)邊界；2022年1月，企業(yè)成功登陸科創(chuàng)板，實現(xiàn)從“初創(chuàng)”到“上市”的跨越；僅一個月后，隨著業(yè)務(wù)持續(xù)擴張，公司競得映月新城一宗工業(yè)用地，啟動全新總部基地建設(shè)計劃。
自2024年1月奠基以來，希荻大廈項目始終保持“加速跑”節(jié)奏，如今主體結(jié)構(gòu)順利封頂。這座總部基地選址于南海區(qū)桂城街道，以“科技、創(chuàng)新、未來感”與 “綠色、生態(tài)、自然”為雙重設(shè)計理念，打造出造型獨特的雙塔建筑。這座形似電子元件的創(chuàng)新總部，不僅是企業(yè)技術(shù)自主的象征，更承載著南海從傳統(tǒng)制造向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端躍升的雄心。
“2012年，希荻微在佛山南海的一間小辦公室里誕生。今天的希荻微，已不再是那個在實驗室里摸索的初創(chuàng)團隊?！毕］段㈦娮佣麻L陶海表示，公司將依托粵港澳大灣區(qū)一體化的獨特優(yōu)勢，將希荻大廈成為南海桂城面向全球的閃亮名片。
來源：南海融媒（記者 李年智）
編輯：佛山新聞網(wǎng) 羅靜文
